收藏本站
W9816G6IH
11.15 Auto-precharge Timing (Read Cycle)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
(1) CAS Latency=2
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
( b ) burst length = 2
Q0
Command
DQ
Read
AP
Q0
t RP
Q1
Act
( c ) burst length = 4
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
( b ) burst length = 2
Command
DQ
( c ) burst length = 4
Command
Read
Read
AP
Q0
t RP
Q1
AP
Act
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Note:
Read
AP
Act
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t RAS (min).
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 35 -
Revision A02
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
W9825G6JH-6I IC SDRAM 256MBIT 54TSOPII
W9864G6JH-6I IC SDRAM 64MBIT 54TSOPII
WM-5614 CABINET WALL MOUNT 37.25X17.9"
WRR-2244 RACK WALL MOUNT RELAY 42" X 19"
WRR-2264 RACK WALL MOUNT 75.25" X 19"
X28C512JIZ-12 IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC
X28HC256SIZ-90 IC EEPROM 256KBIT 90NS 28SOIC
X28HC64JIZ-90 IC EEPROM 64KBIT 90NS 32PLCC
相关代理商/技术参数
W9816G6IH-7 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM
W9816G6IH-7I 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512K 】 2 BANKS 】 16 BITS SDRAM
W982504AH-7 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x4 SDRAM
W982504AH-75 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x4 SDRAM
W982504AH-8H 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x4 SDRAM
W982508AH 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M X 4 BANKS X 8 BIT SDRAM
W982508AH-7 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SDRAM
W982508AH-75 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SDRAM